106年第1學期-5334 電漿蝕刻技術專題 課程資訊
評分方式
| 評分項目 | 配分比例 | 說明 |
|---|---|---|
| 出席 | 50 | |
| 專題論文報告 | 50 |
選課分析
本課程名額為 70人，已有14 人選讀，尚餘名額56人。
登入後可進行最愛課程追蹤 [按此登入]。
教育目標
1. 培育學生半導體製程能力
2. 了解電漿蝕刻的工作原理
3. 因應日後課業或研究所需
課程資訊
基本資料
選修課，學分數：3-0
上課時間：二/10,11,12[ST132]
修課班級：應物系3,4,碩博
修課年級：年級以上
選課備註：大3、4可選修；人工選課
教師與教學助理
授課教師：黃家逸
大班TA或教學助理：尚無資料
Office Hour時間: 請先以電子信件預約
地點: ST220
授課大綱
授課大綱：開啟授課大綱(授課計畫表)
(開在新視窗)
參考書目
作者 : Dennis M. Manos, and Daniel L. Flamm
書名 : Plasma Etching: An Introduction
版本 : 1 edition
出版商 : Academic Press
出版年份 : 1989
開課紀錄
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