114年第2學期-1123 功率半導體元件 課程資訊

評分方式

評分項目	配分比例	說明
出席率	30
期中考	30
期末報告	40

教育目標

本課程內容規劃旨在建立學生對功率半導體元件的完整理解，從基礎半導體物理出發，逐步引導至元件結構設計與應用分析，並結合業界實務經驗，培養學生具備元件選擇、規格解讀與應用設計的能力。 課程初期將聚焦於半導體物理基礎，包括載子傳輸機制、PN 接面行為、MOSFET 的操作原理與崩潰機制等，奠定元件設計所需的物理基礎。中段課程將深入探討各類功率半導體元件的設計與特性，包括功率二極體、金氧半場效電晶體…等等，並分析其導通特性、切換行為、損耗機制與熱設計考量。後段課程將延伸至新型元件架構與材料技術，如SGT MOSFET、CoolMOS…等結構，以及寬能隙材料元件（SiC、GaN）之設計原理與應用挑戰，使學生掌握功率元件技術的發展趨勢。 此外，課程將強調理論與實務的結合，透過業界產品的 datasheet 解讀、元件規格分析、實際應用電路的設計考量與案例研討，讓學生理解功率元件在電力電子系統中所扮演的角色與選選擇。學生將透過課堂講授、產品分析、分組討論與期末報告，培養從物理原理到應用設計的整合能力，為未來進入半導體或電力電子相關產業奠定紮實基礎。

基本資料

選修課，學分數：0-3
上課時間：六/2,3,4
修課班級：電機系3,4
修課年級：3年級以上
選課備註：業師授課。

參考書目

自編數位教材
參考書目:
1. B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices (2nd Edition),
Springer, 2018.
2. B. J. Baliga, Wide Bandgap Semiconductor Power Devices, Woodhead
Publishing, 2018.