115年第1學期-1128 類比積體電路設計導論 課程資訊
評分方式
| 評分項目 | 配分比例 | 說明 |
|---|---|---|
| 出席 | 20 | |
| 作業 | 30 | |
| 期中考 | 25 | |
| 期末考 | 25 |
選課分析
本課程名額為 70人，已有0 人選讀，尚餘名額70人。
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授課教師
電機教師教育目標
本課程旨在建立學生於電機電子與半導體領域中類比積體電路設計之基礎理論與實務應用能力，內容涵蓋 MOSFET 元件特性、偏壓電路、電流鏡、差動放大器、運算放大器及類比訊號處理等核心概念，並介紹類比積體電路於半導體晶片設計中的應用與設計方法。課程亦將結合半導體元件物理與製程概念，使學生了解元件參數、製程變異及寄生效應對類比電路性能之影響。
課程資訊
基本資料
選修課，學分數：3-0
上課時間：二/6,7,8
修課班級：電機系3,4
修課年級：3年級以上
選課備註：
教師與教學助理
授課教師：電機教師
大班TA或教學助理：尚無資料
Office Hour.
授課大綱
授課大綱：開啟授課大綱(授課計畫表)
(開在新視窗)
參考書目
1.自編教材
2. Behzad Razvai，類比CMOS 積體電路設計 (第2 版)。
3. Sedra / Smith，Microelectronic Circuits
開課紀錄
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